HM Sic GaN MOSFET MOS
HM Sic GaN MOSFET MOS
- HM
- CHINE
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Sic (carbure de silicium) MOS
| Canal N Sic MOS | VDS (maximum) | VGS | VTH | IDENTIFIANT (maximum) | IDM (maximum) | RDS (au) (maximum) | Ciss | Ciss | Ciss | Tj | Rθjc | Rθja | Forfait |
| HMM18N120T | 1200V | -10V/ +25V | 2.4V | 18A | 40A | 160 ohms | 890pF | 54pF | 8,5 pF | -55- 150°C | 0.9℃/W | 40℃/W | TO-247-3L |
| Canal N GaNMOS | VDS (maximum) | VTH | IDENTIFIANT (maximum) | RDS (au) (maximum) | Qg | Qrr | Ciss | coss | CRSS | Tj | Rθjc | Rθja | Forfait |
| HMN8N65D | 650V | 1.65V | 8A | 220 Mohamed | 18nC | 50nC | 1150pF | 25pF | 1pF | -55- 150°C | 4.5℃/W | 50℃/W | DFN8*8-2L |
| HMN20N65 | 650V | 1.65V | 20A | 120 Mohamed | 20nC | 46 après JC | 1250pF | 48pF | 2pF | -55- 150°C | 1.28℃/W | 50℃/W | TO-220 |
| HMN20N65D | 650V | 1.65V | 20A | 125 Mohamed | 20nC | 56nC | 1050pF | 56pF | 2pF | -55- 150°C | 1.8℃/W | 50℃/W | DFN8*8-2L |
